每日速览2026年08月19日 12:55消息，三星电子计划2026年9月完成1D nm DRAM研发。
8月19日，韩国媒体thebell报道，据业内人士透露，三星电子计划于2026年9月率先完成1DNM DRAM内存的研发工作，并于2026年12月进入量产准备阶段，2027年上半年启动生产线建设，有望在2027年底实现首批产品量产。
SK海力士此前在行业内率先完成1纳米节点DRAM的研发，而三星电子则试图在1.0纳米阶段重新夺回“技术领先”的地位。与此同时，三星电子已计划将1.0纳米DRAM芯片应用于HBM5E内存，提前完成基础技术的布局，为后续HBM产品的推出奠定坚实基础。
与此同时，SK海力士的1Dnm DRAM目前正处于热测试良率提升阶段，预计将在2026年12月完成研发。这一进展标志着该企业在先进存储技术领域的持续投入与突破，也反映出半导体行业对高性能、低功耗内存需求的不断增长。随着技术逐步成熟，未来该产品有望在市场中发挥重要作用，进一步巩固SK海力士在全球存储芯片市场的竞争力。
不过，三星电子和SK海力士的1DNM DRAM技术目前仍处于早期发展阶段，整体产品成熟度距离量产目标仍有较大提升空间，需要进一步优化完善。 从行业发展的角度来看，这一阶段的技术突破虽然充满挑战，但也预示着未来存储芯片性能可能迎来新的飞跃。当前的进展表明，厂商们正在积极投入研发，以期在激烈的市场竞争中占据有利位置。不过，距离真正实现商业化应用，仍需克服诸多技术和工艺上的难题。
